| SI7460DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI7460DP-T1-GE3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| Dostupné množství | 4000 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | 1.SI7460DP-T1-GE3.pdf2.SI7460DP-T1-GE3.pdf |
| SI7460DP-T1-GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SI7460DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SI7460DP-T1-GE3 | Kategorie | |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| Balení / pouzdro | PowerPAK® SO-8 | Dostupné množství | 4000 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | PowerPAK® SO-8 |
| Série | TrenchFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 1.9W (Ta) | Paket / krabice | PowerPAK® SO-8 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 4.5V, 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 60 V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) | Číslo základního produktu | SI7460 |
| Stažení | SI7460DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
SI7460DP-T1-GE3
Úvod
N-kanálový napěťový MOSFET s napětím 60V.
Značka a výrobce
Vishay / Siliconix
Vlastnosti
Metal Oxidový polovodičový FET, N-kanálová technologie, vysoká schopnost přenosu proudu, nízký odpor při sepnutí, TrenchFET napěťový MOSFET.
Výkon produktu
Nepřetržitý odtokový proud: 11A, ztrátový výkon: 1,9W, Rds ON: 9,6 mOhm, široký rozsah pracovních teplot.
Technické specifikace
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss): 60V, náboj na bránu (Qg): 100nC, ovládací napětí: 4,5V až 10V, Rds ON se zvyšuje s teplotou.
Rozměry, tvar a balení
Balíček PowerPAK SO-8, typ pro povrchovou montáž, balení Tape & Reel (TR).
Kvalita a spolehlivost
Bezolovnatý / splňuje směrnici RoHS, osvědčená kvalita Siliconix.
Výhody produktu
Efektivní přeměna energie, nízký tepelný odpor, zvýšená hustota výkonu.
Konkurenceschopnost produktu
Konkurenční hodnoty Rds ON, výkonnost při vysokých teplotách, široce akceptovaný balíček PowerPAK SO-8.
Kompatibilita
Kompatibilní s povrchovou montáží, kompatibilní ovládací napětí pro běžné návrhy.
Standardizační certifikace a soulad
Shoda s RoHS pro environmentální standardy.
Doba životnosti a udržitelnost
Trvanlivá konstrukce pro dlouhou životnost, udržitelný výkon v celém pracovním rozsahu.
Skutečné oblasti aplikace
Obvody napájení, DC-DC měniče, pohony motorů, výpočetní zařízení.
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SI7460DP-T1-GE3 Online.
| SI7460DP-T1-GE3 Sklad | SI7460DP-T1-GE3 Cena | SI7460DP-T1-GE3 Electronics | |||
| Součásti SI7460DP-T1-GE3 | SI7460DP-T1-GE3 Inventory | SI7460DP-T1-GE3 Digikey | |||
| Dodavatel SI7460DP-T1-GE3 | Objednat SI7460DP-T1-GE3 Online | Poptávka SI7460DP-T1-GE3 | |||
| Obrázek SI7460DP-T1-GE3 | Obrázek SI7460DP-T1-GE3 | SI7460DP-T1-GE3 PDF | |||
| Datový list SI7460DP-T1-GE3 | Stáhněte si datový list SI7460DP-T1-GE3 | Výrobce Vishay / Siliconix | |||
| Související díly pro SI7460DP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SI7462DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7459DP | SI7459DP VISHAY | VISHAY | ||
 |
SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
|
SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
|
SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
|
SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7461DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7462DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.