| SI7456DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Part Number | SI7456DP-T1-E3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 |
| Dostupné množství | 25000 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | SI7456DP-T1-E3.pdf |
| SI7456DP-T1-E3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SI7456DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SI7456DP-T1-E3 | Kategorie | |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 |
| Balení / pouzdro | PowerPAK® SO-8 | Dostupné množství | 25000 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | PowerPAK® SO-8 |
| Série | TrenchFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 9.3A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 1.9W (Ta) | Paket / krabice | PowerPAK® SO-8 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 6V, 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 100 V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta) | Číslo základního produktu | SI7456 |
| Stažení | SI7456DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
SI7456DP-T1-E3
Úvod
Vysoce výkonný N-kanálový MOSFET ze série TrenchFET
Značka a výrobce
Vishay / Siliconix
Vlastnosti
N-kanálový MOSFET, povrchově montovatelný v balení PowerPAK SO-8, podporuje návrhy pro řízení napájení s vysokou hustotou, optimalizován pro rychlé přepínání
Výkon produktu
Může účinně pracovat v prostředí od -55°C do 150°C, zvládá napětí drainingu až 100V, podporuje kontinuální odtokový proud 5.7A při 25°C, nízký odpor při sepnutí 25 mOhm při 9.3A a 10V
Technické specifikace
Typ FET: N-kanál; Napětí drainingu do zdroje (Vdss): 100V; Průběžný proud (Id) @ 25°C: 5.7A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm při 9.3A, 10V; Náboj brány (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC při 10V; Napětí brány (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V; Vgs (Max): ±20V; Ztráta výkonu (Max): 1.9W
Rozměry, tvar a balení
Balení PowerPAK SO-8, balení Tape & Reel pro efektivní montáž
Kvalita a spolehlivost
Navrženo pro vysokou spolehlivost a odolnost v extrémních podmínkách
Výhody produktu
Vysoká kapacita napětí a robustní tepelný výkon, nízký náboj brány a odpor při sepnutí pro efektivní řízení napájení
Konkurenceschopnost produktu
Konkurenční v aplikacích vyžadujících vysokou účinnost a spolehlivost s kompaktní velikostí
Kompatibilita
Kompatibilní se standardními procesy a zařízeními pro povrchovou montáž
Standardizační certifikace a soulad
Splňuje průmyslové normy pro kvalitu a výkon
Doba životnosti a udržitelnost
Navrženo pro dlouhou provozní životnost za typických elektrických a tepelných podmínek
Skutečné oblasti aplikace
Obvody napájecích zdrojů, DC-DC měniče, řízení napájení pro počítače, telekomunikace a další elektronické systémy
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SI7456DP-T1-E3 Online.
| SI7456DP-T1-E3 Sklad | SI7456DP-T1-E3 Cena | SI7456DP-T1-E3 Electronics | |||
| Součásti SI7456DP-T1-E3 | SI7456DP-T1-E3 Inventory | SI7456DP-T1-E3 Digikey | |||
| Dodavatel SI7456DP-T1-E3 | Objednat SI7456DP-T1-E3 Online | Poptávka SI7456DP-T1-E3 | |||
| Obrázek SI7456DP-T1-E3 | Obrázek SI7456DP-T1-E3 | SI7456DP-T1-E3 PDF | |||
| Datový list SI7456DP-T1-E3 | Stáhněte si datový list SI7456DP-T1-E3 | Výrobce Vishay / Siliconix | |||
| Související díly pro SI7456DP-T1-E3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SI7456DP | SI7456DP VISHAY | VISHAY | ||
 |
SI7457DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7456CDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7457DDP-T1-GE3 | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
|
SI7456DP-T1-E3 MOS | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
|
SI7456DDP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SI7456DDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7456DP. MOS | VIS QFN8 | VIS | ||
 |
SI7456DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7456DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
|
SI7456DDP | VISHAY DFN5X6 | VISHAY | ||
|
SI7457DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7456DDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7456DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7457DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7456DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7456DP. | VIS | |||
|
SI7455DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7455DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7456CDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.