| SI3900DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI3900DV-T1-GE3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Dostupné množství | 21985 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | SI3900DV-T1-GE3.pdf |
| SI3900DV-T1-GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SI3900DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SI3900DV-T1-GE3 | Kategorie | |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Balení / pouzdro | 6-TSOP | Dostupné množství | 21985 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 1.5V @ 250µA | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | 6-TSOP | Série | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V | Power - Max | 830mW |
| Paket / krabice | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Balík | Tape & Reel (TR) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | Typ montáže | Surface Mount |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | - | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 20V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 2A | Konfigurace | 2 N-Channel (Dual) |
| Číslo základního produktu | SI3900 | ||
| Stažení | SI3900DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SI3900DV-T1-GE3 Online.
| SI3900DV-T1-GE3 Sklad | SI3900DV-T1-GE3 Cena | SI3900DV-T1-GE3 Electronics |
| Součásti SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 Inventory | SI3900DV-T1-GE3 Digikey |
| Dodavatel SI3900DV-T1-GE3 | Objednat SI3900DV-T1-GE3 Online | Poptávka SI3900DV-T1-GE3 |
| Obrázek SI3900DV-T1-GE3 | Obrázek SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 PDF |
| Datový list SI3900DV-T1-GE3 | Stáhněte si datový list SI3900DV-T1-GE3 | Výrobce Vishay / Siliconix |
