| SI3867DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI3867DV-T1-GE3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| Dostupné množství | 18964 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | SI3867DV-T1-GE3.pdf |
| SI3867DV-T1-GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SI3867DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SI3867DV-T1-GE3 | Kategorie | |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| Balení / pouzdro | 6-TSOP | Dostupné množství | 18964 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 1.4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | 6-TSOP |
| Série | TrenchFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max) | 1.1W (Ta) | Paket / krabice | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 2.5V, 4.5V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 20 V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) | Číslo základního produktu | SI3867 |
| Stažení | SI3867DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SI3867DV-T1-GE3 Online.
| SI3867DV-T1-GE3 Sklad | SI3867DV-T1-GE3 Cena | SI3867DV-T1-GE3 Electronics |
| Součásti SI3867DV-T1-GE3 | SI3867DV-T1-GE3 Inventory | SI3867DV-T1-GE3 Digikey |
| Dodavatel SI3867DV-T1-GE3 | Objednat SI3867DV-T1-GE3 Online | Poptávka SI3867DV-T1-GE3 |
| Obrázek SI3867DV-T1-GE3 | Obrázek SI3867DV-T1-GE3 | SI3867DV-T1-GE3 PDF |
| Datový list SI3867DV-T1-GE3 | Stáhněte si datový list SI3867DV-T1-GE3 | Výrobce Vishay / Siliconix |
