| SUD08P06-155L-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SUD08P06-155L-GE3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 |
| Dostupné množství | 50287 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | SUD08P06-155L-GE3.pdf |
| SUD08P06-155L-GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SUD08P06-155L-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SUD08P06-155L-GE3 | Kategorie | |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 |
| Balení / pouzdro | TO-252 | Dostupné množství | 50287 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | TO-252 |
| Série | TrenchFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 5A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) | Paket / krabice | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 60 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Číslo základního produktu | SUD08 | ||
| Stažení | SUD08P06-155L-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
SUD08P06-155L-GE3
Úvod
P-Channel 60V TrenchFET Power MOSFET
Značka a výrobce
Vishay / Siliconix
Vlastnosti
P-Channel MOSFET, TrenchFET Technology, Surface Mount TO-252, Lead-Free / RoHS Compliant, Nízká On-Resistance, Vysoká Schaltgeschwindigkeit
Výkon produktu
Kontinuální proudová schopnost 8,4 A při 25 °C, Rozsah teploty provozu -55 °C až 150 °C, Vypařování tepla 1,7 W při prostředí 20 °C, 20,8 W při teplotě pásu
Technické specifikace
Účinnost proudového proudu 60 V, Rds On 155 mOhm při 5 A, 10 V, Práhový proud 3 V při 250 µA, Zátěž brány 19 nC při 10 V, Vstupní kapacita 450 pF při 25 V
Rozměry, tvar a balení
TO-252-3, DPak (2 vodiče + držák), Balení SC-63, Balení výrobce: Pás a přenosovka
Kvalita a spolehlivost
Vysoká kvalita a spolehlivost dle průmyslových standardů
Výhody produktu
Energeticky úsporný přístroj, Optimizovaný pro nízkou zátěž brány
Konkurenceschopnost produktu
Konkurenční proudové napětí zdroje-proudu, Zvýšená konkurenceschopnost na trhu s P-Channel MOSFET
Kompatibilita
Kompatibilní s běžnými povrchovými montažními technikami
Standardizační certifikace a soulad
RoHS souladný
Doba životnosti a udržitelnost
Trvanlivý a udržitelný návrh pro dlouhodobé použití
Skutečné oblasti aplikace
Řízení energie v počítačových a telekomunikačních systémech, Aplikace pro přepínání a zesilování
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SUD08P06-155L-GE3 Online.
| SUD08P06-155L-GE3 Sklad | SUD08P06-155L-GE3 Cena | SUD08P06-155L-GE3 Electronics | |||
| Součásti SUD08P06-155L-GE3 | SUD08P06-155L-GE3 Inventory | SUD08P06-155L-GE3 Digikey | |||
| Dodavatel SUD08P06-155L-GE3 | Objednat SUD08P06-155L-GE3 Online | Poptávka SUD08P06-155L-GE3 | |||
| Obrázek SUD08P06-155L-GE3 | Obrázek SUD08P06-155L-GE3 | SUD08P06-155L-GE3 PDF | |||
| Datový list SUD08P06-155L-GE3 | Stáhněte si datový list SUD08P06-155L-GE3 | Výrobce Vishay / Siliconix | |||
| Související díly pro SUD08P06-155L-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SUD08P06-1S5L-E3 | SUD08P06-1S5L-E3 Vishay | Vishay | ||
 |
SUD06N10-225L-T1-E3 | SUD06N10-225L-T1-E3 VB | VB | ||
|
SUD06N10-225L_08 | SUD06N10-225L_08 VB | VB | ||
 |
SUD08P06-155L-T4E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUD08P06-155L-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 | Vishay Siliconix | ||
 |
SUD08P06-155L-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUD10P06-280L-E3 | SUD10P06-280L-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SUD06N10-22L | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
|
SUD08P06-155L-E3 MOS | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
|
SUD09P10-195-GE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 | Vishay Siliconix | ||
|
SUD08P06-155L-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUD10P06-280L | SUD10P06-280L VISHAY | VISHAY | ||
|
SUD06N10-255L-T1-E3 | SUD06N10-255L-T1-E3 VB | VB | ||
|
SUD09P10-195 | SUD09P10-195 Vishay | Vishay | ||
|
SUD08P06-155L | SUD08P06-155L VISH | VISH | ||
|
SUD10P06-280L-E3 MOS | VBSEMI TO-252 | VBSEMI | ||
 |
SUD08P06-155L-BE3 | MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SUD09P10-195-GE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUD09P10-195-BE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SUD08P06-155L-T4E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 | Vishay Siliconix | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.