| SI7846DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Part Number | SI7846DP-T1-E3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| Dostupné množství | 21298 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | SI7846DP-T1-E3.pdf |
| SI7846DP-T1-E3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SI7846DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SI7846DP-T1-E3 | Kategorie | |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| Balení / pouzdro | PowerPAK® SO-8 | Dostupné množství | 21298 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | PowerPAK® SO-8 |
| Série | TrenchFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 1.9W (Ta) | Paket / krabice | PowerPAK® SO-8 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 150 V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) | Číslo základního produktu | SI7846 |
| Stažení | SI7846DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
SI7846DP-T1-E3
Úvod
SI7846DP-T1-E3 je jednocestný N-kanálový tranzistor fungující jako diskrétní polovodič.
Značka a výrobce
Vyrobeno společností Vishay / Siliconix.
Vlastnosti
Pracuje na základě technologie MOSFET (kov-oxid).
Patří do série TrenchFET.
Funguje v teplotním rozmezí od -55˚C do 150˚C (TJ).
Lze jej montovat na povrch.
Má maximální ztrátu výkonu 1,9W (Ta).
Dodáváno v pouzdru PowerPAK SO-8.
Výkon produktu
Napětí na zdroji dosahuje 150V.
Odtok má konstantní proud 4A při 25˚C.
Technické specifikace
Maximální odpor mezi odtokem a zdrojem: 50 mΩ při 5A, 10V.
Napětí prahové hodnoty brány, Vgs(th) (Max) @ Id: 4,5V @ 250A.
Maximální nabitý kapacita brány, Qg (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V.
Maximální napětí brány (Max Rds On, Min Rds On): 10V.
Maximální Vgs: -20V.
Rozměry, tvar a balení
Tento tranzistor je navržen v obdélníkovém pouzdře PowerPAK SO-8 a je montován na povrch. Produkt je dodáván v obalu Digi-Reel.
Kvalita a spolehlivost
Tento tranzistor je známý svou vysokou kvalitou zpracování a spolehlivostí a je vyráběn jedním z nejuznávanějších světových výrobců polovodičů, Vishay / Siliconix.
Výhody produktu
Hlavními výhodami jsou schopnost fungovat při teplotách až 150˚C a až -55˚C, stejně jako relativně vysoký proud odtoku.
Konkurenceschopnost produktu
Tento tranzistor nabízí vysoký výkon a spolehlivý provoz, což ho činí konkurenceschopnou volbou ve své kategorii.
Kompatibilita
Je kompatibilní v rámci svého typu, tj. tranzistory - FETy, MOSFETy - jednocestné.
Standardizační certifikace a soulad
Tranzistor SI7846DP-T1-E3 je v souladu s průmyslovými standardními specifikacemi pro svou kategorii.
Doba životnosti a udržitelnost
Tento komponent nabízí dlouhou životnost a udržitelný provoz v rámci svého teplotního rozsahu a dalších specifikovaných podmínek.
Skutečné oblasti aplikace
Tento MOSFET tranzistor je široce používán v různých elektronických zařízeních, kde je potřeba řízení výkonu, zesilování signálu a regulace napětí.
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SI7846DP-T1-E3 Online.
| SI7846DP-T1-E3 Sklad | SI7846DP-T1-E3 Cena | SI7846DP-T1-E3 Electronics | |||
| Součásti SI7846DP-T1-E3 | SI7846DP-T1-E3 Inventory | SI7846DP-T1-E3 Digikey | |||
| Dodavatel SI7846DP-T1-E3 | Objednat SI7846DP-T1-E3 Online | Poptávka SI7846DP-T1-E3 | |||
| Obrázek SI7846DP-T1-E3 | Obrázek SI7846DP-T1-E3 | SI7846DP-T1-E3 PDF | |||
| Datový list SI7846DP-T1-E3 | Stáhněte si datový list SI7846DP-T1-E3 | Výrobce Vishay / Siliconix | |||
| Související díly pro SI7846DP-T1-E3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SI7844DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7846DP | SI7846DP SI | SI | ||
 |
SI7846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7844DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7848BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7846DP-TI | SI7846DP-TI VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7848BDP-T1 | SI7848BDP-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7846DP-T1 | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SI7844DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7846DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
 |
SI7846DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7846DP-TI-GE3 | VISHAY | |||
|
SI7844DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7846DP-T1-E3 MOS | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
|
SI7846SAC | SI7846SAC VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7845DP-T1-GE3 | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
|
SI7844DP-T1 | SI7844DP-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7844DP | SI7844DP SI | SI | ||
|
SI7848BDP | SI7848BDP SI | SI | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.