| SI1480DH-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI1480DH-T1-GE3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6 |
| Dostupné množství | 2802 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | 1.SI1480DH-T1-GE3.pdf2.SI1480DH-T1-GE3.pdf |
| SI1480DH-T1-GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SI1480DH-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SI1480DH-T1-GE3 | Kategorie | |
| Výrobce | Vishay / Siliconix | Popis | MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6 |
| Balení / pouzdro | SC-70-6 | Dostupné množství | 2802 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | SC-70-6 |
| Série | TrenchFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.9A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) | Paket / krabice | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 130 pF @ 50 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 100 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
| Číslo základního produktu | SI1480 | ||
| Stažení | SI1480DH-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SI1480DH-T1-GE3 Online.
| SI1480DH-T1-GE3 Sklad | SI1480DH-T1-GE3 Cena | SI1480DH-T1-GE3 Electronics |
| Součásti SI1480DH-T1-GE3 | SI1480DH-T1-GE3 Inventory | SI1480DH-T1-GE3 Digikey |
| Dodavatel SI1480DH-T1-GE3 | Objednat SI1480DH-T1-GE3 Online | Poptávka SI1480DH-T1-GE3 |
| Obrázek SI1480DH-T1-GE3 | Obrázek SI1480DH-T1-GE3 | SI1480DH-T1-GE3 PDF |
| Datový list SI1480DH-T1-GE3 | Stáhněte si datový list SI1480DH-T1-GE3 | Výrobce Vishay / Siliconix |
