| TP65H050G4WS | |
|---|---|
| Part Number | TP65H050G4WS |
| Výrobce | Transphorm |
| Popis | 650 V 34 A GAN FET |
| Dostupné množství | 369 pcs in stock |
| ECAD model | |
| Datasheety | |
| TP65H050G4WS Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace TP65H050G4WS | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | TP65H050G4WS | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | Transphorm | Popis | 650 V 34 A GAN FET |
| Balení / pouzdro | TO-247-3 | Dostupné množství | 369 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4.8V @ 700µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | GaNFET (Gallium Nitride) | Dodavatel zařízení Package | TO-247-3 |
| Série | SuperGaN® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 119W (Tc) | Paket / krabice | TO-247-3 |
| Balík | Tube | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 650 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Číslo základního produktu | TP65H050 |
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ TP65H050G4WS Online.
| TP65H050G4WS Sklad | TP65H050G4WS Cena | TP65H050G4WS Electronics | |||
| Součásti TP65H050G4WS | TP65H050G4WS Inventory | TP65H050G4WS Digikey | |||
| Dodavatel TP65H050G4WS | Objednat TP65H050G4WS Online | Poptávka TP65H050G4WS | |||
| Obrázek TP65H050G4WS | Obrázek TP65H050G4WS | TP65H050G4WS PDF | |||
| Datový list TP65H050G4WS | Stáhněte si datový list TP65H050G4WS | Výrobce Transphorm | |||
| Související díly pro TP65H050G4WS | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
TP65H050WSQA | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H070LSG-TR | GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 | Transphorm | ||
|
TP65H150G4LSG | GAN FET N-CH 650V PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H070LSG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H035WSQA | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 | Transphorm | ||
 |
TP6508QG | TOPRO QFP-208 | TOPRO | ||
|
TP6508IQ | TOPRO | |||
|
TP65H050G4BS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP6508IQG | TOPRO QFP | TOPRO | ||
|
TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | Transphorm | ||
 |
TP6537FG | TOSHIBA SOP | TOSHIBA | ||
|
TP65H015G5WS | 650 V 95 A GAN FET | Transphorm | ||
 |
TP65H035WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H150BG4JSG-TR | GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 | Transphorm | ||
|
TP65H050WS | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H070LDG-TR | 650 V 25 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H070LDG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H070G4LSGB-TR | GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 | Transphorm | ||
|
TP65H070G4PS | GANFET N-CH 650V 29A TO220 | Transphorm | ||
|
TP65H035G4WSQA | 650 V 46.5 GAN FET | Transphorm | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.