| APT30F50B | |
|---|---|
| Part Number | APT30F50B |
| Výrobce | Microchip Technology |
| Popis | MOSFET N-CH 500V 30A TO247 |
| Dostupné množství | 3037 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | 1.APT30F50B.pdf2.APT30F50B.pdf3.APT30F50B.pdf4.APT30F50B.pdf5.APT30F50B.pdf6.APT30F50B.pdf |
| APT30F50B Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace APT30F50B | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | APT30F50B | Kategorie | |
| Výrobce | Microsemi | Popis | MOSFET N-CH 500V 30A TO247 |
| Balení / pouzdro | TO-247 [B] | Dostupné množství | 3037 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | TO-247 [B] |
| Série | POWER MOS 8™ | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 14A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 415W (Tc) | Paket / krabice | TO-247-3 |
| Balík | Tube | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 4525 pF @ 25 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 500 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Číslo základního produktu | APT30F50 | ||
| Stažení | APT30F50B PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
APT30F50B
Úvod
Vysokovýkonný N-kanálový MOSFET
Značka a výrobce
Microsemi
Vlastnosti
Technologie polovodičových kovových oxidu
Konfigurace N-kanál
Vysoká kapacita rozptylu tepla
Výkon produktu
Tolerování vysokého napětí až do 500V
Pokračující drain proud 30A při 25°C
Nízký Rds On pro efektivní vedení
Robustní tepelný výkon
Technické specifikace
Typ FET: N-kanál MOSFET
Napětí od drain k source (Vdss): 500V
Max. Rds On: 190 mOhm
Nabíjecí proud (Qg): 115nC
Vstupní kapacitance (Ciss): 4525pF
Rozměry, tvar a balení
TO-247-3 balení
Montáž s průchodem
Odesíláno v tubusovém balení
Kvalita a spolehlivost
Bez olova a v souladu s RoHS
Široký rozsah pracovních teplot -55°C až 150°C
Výhody produktu
Vhodný pro aplikace s vysokým napětím
Efektivní řízení energie
Konkurenceschopnost produktu
Nadřazený elektrický výkon
Spolehlivý v náročných prostředích
Kompatibilita
Široká kompatibilita s řídícími obvody
Standardní příkon
Standardizační certifikace a soulad
V souladu s RoHS
Doba životnosti a udržitelnost
Odolná konstrukce pro dlouhou provozní životnost
Skutečné oblasti aplikace
Jednotky napájení
Ovládání motorů
Vysokovýkonné elektronické obvody
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ APT30F50B Online.
| APT30F50B Sklad | APT30F50B Cena | APT30F50B Electronics | |||
| Součásti APT30F50B | APT30F50B Inventory | APT30F50B Digikey | |||
| Dodavatel APT30F50B | Objednat APT30F50B Online | Poptávka APT30F50B | |||
| Obrázek APT30F50B | Obrázek APT30F50B | APT30F50B PDF | |||
| Datový list APT30F50B | Stáhněte si datový list APT30F50B | Výrobce Microsemi | |||
| Související díly pro APT30F50B | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
APT30DQ60K | APT30DQ60K APT | APT | ||
 |
APT30GN60BG | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30DS60B | APT30DS60B PHILIPS | PHILIPS | ||
|
APT30GN60BDQ2G | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30GN60BDQ2 | APT30GN60BDQ2 APT | APT | ||
|
APT30DQ60BCTG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microchip Technology | ||
 |
APT30F60J | MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP | Microchip Technology | ||
|
APT30DS30B | APT30DS30B APT | APT | ||
|
APT30DQ60BHBG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30DQ60BCT | IGBT Modules | APT | ||
|
APT30GF60BN | APT New | APT | ||
|
APT30DS20HJ | BRIDGE RECT 1P 200V 45A SOT227 | Microsemi Corporation | ||
 |
APT30GF60JU2 | IGBT MODULE 600V 58A 192W SOT227 | Microchip Technology | ||
 |
APT30DQ60BG | DIODE GP 600V 30A TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30DS60BG | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247 | Microchip Technology | ||
|
APT30GL100BN | APT New | APT | ||
 |
APT30F50S | MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK | Microchip Technology | ||
|
APT30GF60JU3 | IGBT MODULE 600V 58A 192W ISOTOP | Microchip Technology | ||
|
APT30GN60B | IGBT Modules | APT | ||
 |
APT30DQ60KG | DIODE GP 600V 30A TO220 | Microchip Technology | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.