| IXFH12N120P | |
|---|---|
| Part Number | IXFH12N120P |
| Výrobce | IXYS |
| Popis | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
| Dostupné množství | 3080 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | IXFH12N120P.pdf |
| IXFH12N120P Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace IXFH12N120P | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | IXFH12N120P | Kategorie | |
| Výrobce | IXYS / Littelfuse | Popis | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
| Balení / pouzdro | TO-247AD (IXFH) | Dostupné množství | 3080 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 6.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | TO-247AD (IXFH) |
| Série | HiPerFET™, Polar | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 500mA, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 543W (Tc) | Paket / krabice | TO-247-3 |
| Balík | Tube | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 25 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 1200 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Číslo základního produktu | IXFH12 | ||
| Stažení | IXFH12N120P PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
IXFH12N120P
Úvod
Vysoce napěťový Power MOSFET
Značka a výrobce
IXYS Corporation
Vlastnosti
N-kanálový MOSFET, vysoká disipace výkonu, vysoké napěťové hodnocení, nízký odpor v zapnutí
Výkon produktu
Efektivní zvládání energie, robustní tepelný management, vysokorychlostní spínací schopnosti, rozšířený rozsah provozních teplot
Technické specifikace
Technologie metal-oxidového polovodiče, napětí od drenáže k source (Vdss) 1200V, trvalý drenážní proud (Id) 12A při 25°C, odpor v zapnutí (Rds) 1,35 Ohm při 500mA, 10V, mezní napětí brány (Vgs(th)) 6,5V při 1mA, náboj brány (Qg) 103nC při 10V, vstupní kapacitance (Ciss) 5400pF při 25V
Rozměry, tvar a balení
Typ montáže s průchozími otvory, balení TO-247-3, balení dodavatele TO-247AD, tubusové balení
Kvalita a spolehlivost
Vysoká spolehlivost za extrémních podmínek
Výhody produktu
Nízké ztráty při vedení, vysoké prahové napětí
Konkurenceschopnost produktu
Konkurenční řešení pro vysoce napěťový výkon
Kompatibilita
Kompatibilní s širokým spektrem vysoce napěťových aplikací
Standardizační certifikace a soulad
Bezolovnaté / Shodné s RoHS
Doba životnosti a udržitelnost
Odolné vůči vysokému namáhání a měnícím se teplotám
Skutečné oblasti aplikace
Systémy napájení, ovladače motorů, měniče, spínané napájecí zdroje
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ IXFH12N120P Online.
| IXFH12N120P Sklad | IXFH12N120P Cena | IXFH12N120P Electronics | |||
| Součásti IXFH12N120P | IXFH12N120P Inventory | IXFH12N120P Digikey | |||
| Dodavatel IXFH12N120P | Objednat IXFH12N120P Online | Poptávka IXFH12N120P | |||
| Obrázek IXFH12N120P | Obrázek IXFH12N120P | IXFH12N120P PDF | |||
| Datový list IXFH12N120P | Stáhněte si datový list IXFH12N120P | Výrobce IXYS / Littelfuse | |||
| Související díly pro IXFH12N120P | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
IXFH12N90P IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
 |
IXFH12N80P | MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 MOSFETIGBTIC | IXYS TO247-3 | IXYS | ||
 |
IXFH120N30X3 | MOSFET N-CH 300V 120A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N50F | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | IXYS RF | ||
|
IXFH120N25T | MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N100Q | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N50F | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD | IXYS RF | ||
|
IXFH120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH130N15X3 | MOSFET N-CH 150V 130A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100P | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N50 | IXFH12N50 IXYS | IXYS | ||
|
IXFH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
 |
IXFH120N25X3 | MOSFET N-CH 250V 120A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.