IPB048N15N5ATMA1 | |
---|---|
Part Number | IPB048N15N5ATMA1 |
Výrobce | Infineon Technologies |
Popis | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
Dostupné množství | 3054 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
ECAD model | |
Datasheety | 1.IPB048N15N5ATMA1.pdf2.IPB048N15N5ATMA1.pdf3.IPB048N15N5ATMA1.pdf |
IPB048N15N5ATMA1 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Technické informace IPB048N15N5ATMA1 | |||
---|---|---|---|
Číslo součásti výrobce | IPB048N15N5ATMA1 | Kategorie | |
Výrobce | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Popis | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
Balení / pouzdro | PG-TO263-3-2 | Dostupné množství | 3054 pcs |
Vgs (th) (max) 'Id | 4.6V @ 264µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | PG-TO263-3-2 |
Série | OptiMOS™ | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 60A, 10V |
Ztráta energie (Max) | 300W (Tc) | Paket / krabice | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 75 V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 8V, 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss) | 150 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Číslo základního produktu | IPB048 | ||
Stažení | IPB048N15N5ATMA1 PDF - EN.pdf |
IPB048N15N5ATMA1
N-kanálový MOSFET pro vysoce efektivní napájecí konverzi
International Rectifier (Infineon Technologies)
Nízký odpor v zapnutí, vysoká rychlost spínání, nízký nabíjecí proud, optimalizováno pro vysoce výkonnou napájecí konverzi
Vynikající termální výkon, robustní proti těžké komutaci, stabilní provoz při vysokých přetíženích
Typ: N-kanál; Napětí mezi drenážem a zdrojem (Vdss): 150V; Kontinuální drenážní proud (Id): 100A; Napětí mezi bránou a zdrojem (Vgs): ±20V; Celkový nabíjecí proud (Qg): 135nC
Čtvercový balíček; Bezolovnatý; Dodáváno v běžné páskové a válcové formě pro automatické osazení
Vysoce spolehlivý za extrémních podmínek; Testováno pro dlouhodobou stabilitu; Řídí se přísnými průmyslovými standardy kvality
Vysoká efektivita vede ke snížené spotřebě energie; Snadné ovládání a řízení
Konkurenční poměr ceny a výkonu; Nejmodernější technologie od předního výrobce polovodičů
Kompatibilní se standardními spínacími aplikacemi a řídicími obvody
Bezolovnatý; Soulad s nařízením RoHS
Dlouhá provozní životnost za doporučených podmínek; Ekologicky udržitelné s bezolovnatými komponenty
Napájecí jednotky; DC-DC měniče; Pohony motorů; Invertory; Aplikace v automobilovém průmyslu
IPB048N15N5ATMA1 Sklad | IPB048N15N5ATMA1 Cena | IPB048N15N5ATMA1 Electronics | |||
Součásti IPB048N15N5ATMA1 | IPB048N15N5ATMA1 Inventory | IPB048N15N5ATMA1 Digikey | |||
Dodavatel IPB048N15N5ATMA1 | Objednat IPB048N15N5ATMA1 Online | Poptávka IPB048N15N5ATMA1 | |||
Obrázek IPB048N15N5ATMA1 | Obrázek IPB048N15N5ATMA1 | IPB048N15N5ATMA1 PDF | |||
Datový list IPB048N15N5ATMA1 | Stáhněte si datový list IPB048N15N5ATMA1 | Výrobce Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Související díly pro IPB048N15N5ATMA1 | |||||
---|---|---|---|---|---|
obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
![]() |
IPB043N10NF2SATMA1 | AUTOMOTIVE MOSFET | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB048N15N5 | INFINEON | |||
![]() |
IPB049N08N5 | INFINEON TO263-2 | INFINEON | ||
![]() |
IPB048N06L G | IPB048N06L G VB | VB | ||
![]() |
IPB049N06L3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB049N06L3 G | IPB049N06L3 G VB | VB | ||
![]() |
IPB049N06L3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB044N15N5ATMA1 | MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB048N06L | INFINEON | |||
![]() |
IPB049N06L3 | INFINEON | |||
![]() |
IPB048N15N5LFATMA1 | MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB049N08N5 MOS | INFINEON TO-263 | INFINEON | ||
![]() |
IPB049N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB048N06LGATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB044N15N5 | Infineon TO263-7 | Infineon | ||
![]() |
IPB042N10NF2SATMA1 | TRENCH >=100V | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB048N15N5LF | INFINEON 2018+RoHS | INFINEON | ||
![]() |
IPB044N15N5ATMA1 044N15N5 | INFINEON TO-263 | INFINEON | ||
![]() |
IPB048N06LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
![]() |
IPB048N15N5ATMA1 IC | IR TO-263 | IR |
Zprávy
VícePolarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
VíceFotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.