| SQ4532AEY-T1_GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| Výrobce | Vishay Siliconix |
| Popis | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| Dostupné množství | 2003 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | SQ4532AEY-T1_GE3.pdf |
| SQ4532AEY-T1_GE3 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SQ4532AEY-T1_GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SQ4532AEY-T1_GE3 | Kategorie | |
| Výrobce | Electro-Films (EFI) / Vishay | Popis | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| Balení / pouzdro | 8-SOIC | Dostupné množství | 2003 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 2.5V @ 250µA | Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | 8-SOIC | Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V | Power - Max | 3.3W |
| Paket / krabice | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Balík | Tape & Reel (TR) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | Typ montáže | Surface Mount |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V | Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
| FET Feature | - | Drain na zdroj napětí (Vdss) | 30V |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) | Konfigurace | N and P-Channel |
| Číslo základního produktu | SQ4532 | ||
| Stažení | SQ4532AEY-T1_GE3 PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
SQ4532AEY-T1_GE3
Úvod
MOSFET pole N a P kanál 30V
Značka a výrobce
Electro-Films (EFI) / Vishay
Vlastnosti
N a P kanál, standardní vlastnosti FET, kvalifikováno podle AEC-Q101, technologie TrenchFET
Výkon produktu
Maximální výstupní výkon 3.3W, provozní teplota od -55°C do 175°C, trvalý výtokový proud při 25°C - 7.3A (Tc) pro N-kanál, 5.3A (Tc) pro P-kanál
Technické specifikace
Napětí mezi drenáží a zdrojem (Vdss) 30V, Rds On 31 mΩ při 4.9A, 10V (N-kanál), 70 mΩ při 3.5A, 10V (P-kanál), práh napětí (Vgs(th)) 2.5V max při 250µA, nabíjecí proud (Qg) 7.8nC při 10V (N-kanál), 10.2nC při 10V (P-kanál), vstupní kapacita (Ciss) 535pF při 15V (N-kanál), 528pF při 15V (P-kanál)
Rozměry, tvar a balení
Povrchová montáž, balení 8-SOIC (0.154", 3.90mm šířka), balení pásek a cívka (TR)
Kvalita a spolehlivost
Certifikováno podle AEC-Q101
Výhody produktu
Vysoká tepelná odolnost, nízké Rds On pro efektivní zpracování energie
Konkurenceschopnost produktu
Nabízí jak N, tak P-kanálové zařízení v jednom balení, schopnost zpracovávat značný výkon pro svou velikost
Kompatibilita
Povrchová montáž kompatibilní se standardním 8-SOIC tvarem
Standardizační certifikace a soulad
AEC-Q101
Doba životnosti a udržitelnost
Navrženo pro dlouhou životnost a spolehlivost v automobilovém průmyslu, odolné vůči náročným podmínkám prostředí
Skutečné oblasti aplikace
Automobilová elektronika, aplikace pro řízení výkonu, obvodové a inverzní obvody
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SQ4532AEY-T1_GE3 Online.
| SQ4532AEY-T1_GE3 Sklad | SQ4532AEY-T1_GE3 Cena | SQ4532AEY-T1_GE3 Electronics | |||
| Součásti SQ4532AEY-T1_GE3 | SQ4532AEY-T1_GE3 Inventory | SQ4532AEY-T1_GE3 Digikey | |||
| Dodavatel SQ4532AEY-T1_GE3 | Objednat SQ4532AEY-T1_GE3 Online | Poptávka SQ4532AEY-T1_GE3 | |||
| Obrázek SQ4532AEY-T1_GE3 | Obrázek SQ4532AEY-T1_GE3 | SQ4532AEY-T1_GE3 PDF | |||
| Datový list SQ4532AEY-T1_GE3 | Stáhněte si datový list SQ4532AEY-T1_GE3 | Výrobce Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| Související díly pro SQ4532AEY-T1_GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SQ4532561JSB | SQ4532561JSB ABC | ABC | ||
|
SQ4532560JMB | ABC 4532 | ABC | ||
 |
SQ4840AEY-T1-GE3 | VISHAY SOP-8 | VISHAY | ||
|
SQ4532471JLB | SQ4532471JLB ABC | ABC | ||
|
SQ4840EY-T1-E3 | VISHAY SOP8 | VISHAY | ||
 |
SQ4532AEY-T1_BE3 | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC | Vishay Siliconix | ||
|
SQ4840CEY-T1_GE3 | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) | Vishay Siliconix | ||
|
SQ4840EY-T1_BE3 | MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC | Vishay Siliconix | ||
|
SQ4532681JSB | SQ4532681JSB ABC | ABC | ||
|
SQ48-12D250 | ASIA New | ASIA | ||
|
SQ4532AEY-T1-GE3 | VISHAY SOIC-8 | VISHAY | ||
|
SQ4532AEY | SQ4532AEY VISHAY | VISHAY | ||
|
SQ4840EY-T1-GE3 | SQ4840EY-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SQ4840DY-T1-GE3 | SQ4840DY-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SQ4840EY-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO | Vishay Siliconix | ||
|
SQ4532EY-T1-GE3 MOS | VBSEMI SO-8 | VBSEMI | ||
|
SQ45323R3KSB | ABB SMD | ABB | ||
|
SQ4532EY-T1-GE3 | SQ4532EY-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SQ4532222KLB | ABC | |||
|
SQ4532681KAB | SQ4532681KAB ABC | ABC | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Moduly Bluetooth® Xpress a vývojová platformaBlue Gecko Xpress BGX13 společnosti Silicon Labs je bezdrátový modul Xpress, který je speciálně ...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz a 2,4 GHz Vlastní bezdrátové startéry Silikonové laboratoře EFR32 ...
Sada pro vývoj Wi-Fi pro modul Zentri AMW007-E03 Vývojová sada Silicon Lab AMW007 pomáhá uživa...
Si3404 a Si3406x Napájení přes Ethernet (PoE) napájené čipy zařízení Silikonové laboratoř...
Rodina digitálních izolátorů Si86xx Digitální izolátory Silicon Labs nabízejí podporu pro z...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.