| ZXM62P02E6TA | |
|---|---|
| Part Number | ZXM62P02E6TA |
| Výrobce | Diodes Incorporated |
| Popis | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| Dostupné množství | 10280 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | 1.ZXM62P02E6TA.pdf2.ZXM62P02E6TA.pdf3.ZXM62P02E6TA.pdf4.ZXM62P02E6TA.pdf |
| ZXM62P02E6TA Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace ZXM62P02E6TA | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | ZXM62P02E6TA | Kategorie | |
| Výrobce | Diodes Incorporated | Popis | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| Balení / pouzdro | SOT-23-6 | Dostupné množství | 10280 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 700mV @ 250µA (Min) | Vgs (Max) | ±12V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | SOT-23-6 |
| Série | - | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max) | 1.1W (Ta) | Paket / krabice | SOT-23-6 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 15 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 4.5 V | Typ FET | P-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 2.7V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 20 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Číslo základního produktu | ZXM62P02 | ||
| Stažení | ZXM62P02E6TA PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
ZXM62P02E6TA
Úvod
P-Channel MOSFET tranzistor
Značka a výrobce
Diodes Incorporated
Vlastnosti
Technologie metal-oxide half-conductor FET, P-Channel FET typ, vysoká schopnost rozptýlení výkonu, nízký odpor při zapnutí, zvýšená účinnost díky rychlým přepínacím rychlostem
Výkon produktu
Stabilní provoz při -55°C až 150°C, povrchově montovaný SOT-23-6 balíček, kontinuální drain current 2,3A při okolní teplotě 25°C, nízké prahové napětí
Technické specifikace
Napětí drain-to-source: 20V, odpor při zapnutí: 200 mOhm, prahové napětí: 700mV, nabíjecí gate: 5.8nC, vstupní kapacitance: 320pF, rozsah napětí řízení: 2.7V až 4.5V, maximální gate napětí: ±12V
Rozměry, tvar a balení
Balení SOT-23-6, dodáváno v provedení Tape & Reel
Kvalita a spolehlivost
Spolehlivý provoz v rámci specifikovaných teplotních rozsahů
Výhody produktu
Efektivní správa energie, úsporný design
Konkurenceschopnost produktu
Konkurenční P-Channel MOSFET zařízení ve své kategorii
Kompatibilita
Kompatibilní se standardními SMT montážními procesy
Standardizační certifikace a soulad
Splňuje příslušné standardy (specifické certifikace nebyly poskytnuty)
Doba životnosti a udržitelnost
Navrženo pro dlouhodobé používání v elektronice
Skutečné oblasti aplikace
Vhodné pro správu energie v spotřební elektronice, telekomunikacích a průmyslových aplikacích
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ ZXM62P02E6TA Online.
| ZXM62P02E6TA Sklad | ZXM62P02E6TA Cena | ZXM62P02E6TA Electronics | |||
| Součásti ZXM62P02E6TA | ZXM62P02E6TA Inventory | ZXM62P02E6TA Digikey | |||
| Dodavatel ZXM62P02E6TA | Objednat ZXM62P02E6TA Online | Poptávka ZXM62P02E6TA | |||
| Obrázek ZXM62P02E6TA | Obrázek ZXM62P02E6TA | ZXM62P02E6TA PDF | |||
| Datový list ZXM62P02E6TA | Stáhněte si datový list ZXM62P02E6TA | Výrobce Diodes Incorporated | |||
| Související díly pro ZXM62P02E6TA | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
ZXM62N03E6TA | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | Diodes Incorporated | ||
 |
ZXM62P03GTA | MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223 | Diodes Incorporated | ||
 |
ZXM61P03FTA/P03 | DIODES SOT23-3 | DIODES | ||
 |
ZXM62P02E6 | ZXM62P02E6 ZETEX | ZETEX | ||
|
ZXM62N03GTA MOS | DIODES SOT-223 | DIODES | ||
|
ZXM62N02E6 | ZXM62N02E6 ZET | ZET | ||
|
ZXM62P03E6CT | Diodes | |||
|
ZXM61P03FTC MOS | VBSEMI SOT-23 | VBSEMI | ||
 |
ZXM62P03E6TA | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXM62P03GTA MOS | ZETEX SOT-223 | ZETEX | ||
|
ZXM62N02E6TA | ZXM62N02E6TA DIODES | DIODES | ||
|
ZXM62N03GTA IC | D50000 SOT-223 | D50000 | ||
 |
ZXM61P03FTC | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXM62P02E6TA MOS | ZETEX SOT-163 | ZETEX | ||
|
ZXM62N03GTA | MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXM62P02E6TA IC | ZETEX SOT23-6 | ZETEX | ||
|
ZXM62P03E6TC | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26 | Diodes Incorporated | ||
|
ZXM62P03GTC | DIODES SOT-223 | DIODES | ||
|
ZXM63C02 | ZXM63C02 ZETEX | ZETEX | ||
|
ZXM62P03E6TA MOS | ZETEX SOT23-6 | ZETEX | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.