| CSD18536KTT | |
|---|---|
| Part Number | CSD18536KTT |
| Výrobce | N/A |
| Popis | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK |
| Dostupné množství | 1242 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | CSD18536KTT.pdf |
| CSD18536KTT Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace CSD18536KTT | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | CSD18536KTT | Kategorie | |
| Výrobce | N/A | Popis | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK |
| Balení / pouzdro | DDPAK/TO-263-3 | Dostupné množství | 1242 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 2.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | DDPAK/TO-263-3 |
| Série | NexFET™ | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 375W (Tc) | Paket / krabice | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 11430 pF @ 30 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 60 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
| Číslo základního produktu | CSD18536 | ||
| Stažení | CSD18536KTT PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
CSD18536KTT
Úvod
Vysoce výkonný N-kanálový MOSFET navržený pro efektivní regulaci napájení.
Značka a výrobce
Luminary Micro / Texas Instruments
Vlastnosti
N-kanálový MOSFET
Vysoká kapacita proudu až 200A
Nízký odpor v zapnutí 1,6 mOhm
Efektivní zpracování výkonu 375W
Vhodný pro provoz v vysokých teplotách
Výkon produktu
Napětí od Drain k Source: 60V
Kontinuální odtokový proud: 200A při 25 °C
Maximální prahové napětí na bráně: 2,2V při 250A
Náboj na bráně: 140nC při 10V
Vstupní capacitance: 11430pF při 30V
Technické specifikace
Technologie: MOSFET (kovoxid)
Ztrátový výkon: 375W
Řídicí napětí: 4,5V až 10V
Vgs (max): ±20V
Rozměry, tvar a balení
Balení / Pouzdro: TO-263-4, DPak (3 vodiče + tabulku), TO-263AA
Balení: Digi-Reel
Kvalita a spolehlivost
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): 2 (1 rok)
Obsahuje olovo / Vyhovuje RoHS
Výhody produktu
Vysoká účinnost a tepelná stabilita
Robustní design pro náročné prostředí
Konkurenceschopnost produktu
Přední výkon ve své kategorii
Konkurenceschopný v aplikacích s vysokým proudem
Kompatibilita
Kompatibilita s montáží na povrch pro zjednodušení sestavení
Standardizační certifikace a soulad
Vyhovuje RoHS pro ekologickou bezpečnost
Doba životnosti a udržitelnost
Odolný design vhodný pro dlouhodobé nasazení
Skutečné oblasti aplikace
Napájecí jednotky
Systémy řízení motoru
Aplikace s vysokým výkonem přepínání
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ CSD18536KTT Online.
| CSD18536KTT Sklad | CSD18536KTT Cena | CSD18536KTT Electronics | |||
| Součásti CSD18536KTT | CSD18536KTT Inventory | CSD18536KTT Digikey | |||
| Dodavatel CSD18536KTT | Objednat CSD18536KTT Online | Poptávka CSD18536KTT | |||
| Obrázek CSD18536KTT | Obrázek CSD18536KTT | CSD18536KTT PDF | |||
| Datový list CSD18536KTT | Stáhněte si datový list CSD18536KTT | Výrobce | |||
| Související díly pro CSD18536KTT | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
CSD1853405A | N/A | |||
 |
CSD18535KCS | MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 | N/A | ||
|
CSD18534Q5A | MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON | N/A | ||
|
CSD18542KCS | MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 | N/A | ||
 |
CSD18536KTTT | MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK | N/A | ||
|
CSD18534Q5AT | MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON | N/A | ||
|
CSD18541F5 | MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR | N/A | ||
|
CSD18542KCS/JMGC025V06A | JJW TO-220 | JJW | ||
|
CSD18537NKCS | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | N/A | ||
|
CSD18537NQ5A | MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON | N/A | ||
|
CSD18536KCS | MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 | N/A | ||
|
CSD18535KTTT | MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK | N/A | ||
|
CSD18535KTT | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK | N/A | ||
|
CSD18537NQ5AT | MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON | N/A | ||
|
CSD18534Q5A IC | TI SON8 | N/A | ||
|
CSD18540Q5BT | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD18540Q5B | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD18541F5T | MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR | N/A | ||
|
CSD18533Q5AT | MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON | N/A | ||
|
CSD18534KCS | MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3 | N/A | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.