| CSD13201W10 | |
|---|---|
| Part Number | CSD13201W10 |
| Výrobce | N/A |
| Popis | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA |
| Dostupné množství | 3054 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | 1.CSD13201W10.pdf2.CSD13201W10.pdf3.CSD13201W10.pdf |
| CSD13201W10 Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace CSD13201W10 | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | CSD13201W10 | Kategorie | |
| Výrobce | N/A | Popis | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA |
| Balení / pouzdro | 4-DSBGA (1x1) | Dostupné množství | 3054 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 1.1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Série | NexFET™ | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 1A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max) | 1.2W (Ta) | Paket / krabice | 4-UFBGA, DSBGA |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 462 pF @ 6 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 1.8V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 12 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Číslo základního produktu | CSD13201 | ||
| Stažení | CSD13201W10 PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
CSD13201W10
Úvod
NexFET Power MOSFET, N-kanál, 12V, 1,6A
Značka a výrobce
Luminary Micro / Texas Instruments
Vlastnosti
Technologie MOSFET (kovový oxid), povrchově montovaný balíček, N-kanálový FET, nízký Rds (odpor v zapnutí), vysoký kontinuální odtahový proud
Výkon produktu
Vysoký výkon ztráty 1,2W, provozní teplota od -55°C do 150°C, robustní termální výkon
Technické specifikace
Napětí od drenáže ke zdroji (Vdss): 12V, kontinuální drenážní proud (Id): 1,6A, Rds On: 34 mOhm, náboj brány (Qg): 2,9nC, vstupní kapacitance (Ciss): 462pF
Rozměry, tvar a balení
4-UFBGA, DSBGA balíček, balení Tape & Reel (TR) pro hromadné objednávky
Kvalita a spolehlivost
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1, bezolovnaté a vyhovující RoHS
Výhody produktu
Optimalizováno pro aplikace s nízkým napětím, kompaktní provedení 4-DSBGA (1x1), vysoká účinnost s nízkým odporem v zapnutí
Konkurenceschopnost produktu
35 týdnů standardní dodací lhůta výrobce, konkurenceschopné pro návrhy citlivé na výkon
Kompatibilita
Kompatibilní se standardní montáží SMT
Standardizační certifikace a soulad
Bezolovnatý status/ Shoda se statusem RoHS
Doba životnosti a udržitelnost
Odolné s širokým rozsahem provozních teplot
Skutečné oblasti aplikace
Vhodné pro správu energie v přenosné elektronice, výpočetní technice a telekomunikačních systémech
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ CSD13201W10 Online.
| CSD13201W10 Sklad | CSD13201W10 Cena | CSD13201W10 Electronics | |||
| Součásti CSD13201W10 | CSD13201W10 Inventory | CSD13201W10 Digikey | |||
| Dodavatel CSD13201W10 | Objednat CSD13201W10 Online | Poptávka CSD13201W10 | |||
| Obrázek CSD13201W10 | Obrázek CSD13201W10 | CSD13201W10 PDF | |||
| Datový list CSD13201W10 | Stáhněte si datový list CSD13201W10 | Výrobce | |||
| Související díly pro CSD13201W10 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
CSD12126SS | BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W | Hoffman Enclosures, Inc. | ||
 |
CSD13302WT | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | N/A | ||
 |
CSD13202Q2 | MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON | N/A | ||
 |
CSD106ANPSA1 | MODULE GATE DRIVER | Infineon Technologies | ||
|
CSD13202Q2 MOS | TI WSON6 | N/A | ||
|
CSD13302W | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | N/A | ||
 |
CSD12126 | BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W | Hoffman Enclosures, Inc. | ||
 |
CSD108 | IC GATE DRVR P&P SCALE 1 MODULE | Power Integrations | ||
|
CSD13302W IC | TI DSBGA4 | N/A | ||
 |
CSD13306WT | MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA | N/A | ||
 |
CSD1013B-220M | SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS | CODACA | ||
|
CSD13380F3 | MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR | N/A | ||
 |
CSD1060E | CSD1060E CREE | CREE | ||
|
CSD13380F3T | MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR | N/A | ||
|
CSD13303W1015 | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA | N/A | ||
|
CSD128 | IC GATE DRVR P&P SCALE 1 MODULE | Power Integrations | ||
|
CSD127BNPSA1 | MODULE GATE DRIVER | Infineon Technologies | ||
|
CSD13306W | MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA | N/A | ||
|
CSD123 | IC GATE DRVR IGBT PLUG&PLAY | Power Integrations | ||
|
CSD1306E | CSD1306E CDIL | CDIL | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.