| FQB3P20TM | |
|---|---|
| Part Number | FQB3P20TM |
| Výrobce | Fairchild Semiconductor |
| Popis | MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK |
| Dostupné množství | 3077 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | FQB3P20TM.pdf |
| FQB3P20TM Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace FQB3P20TM | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | FQB3P20TM | Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Výrobce | Fairchild Semiconductor | Popis | MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK |
| Balení / pouzdro | D2PAK (TO-263) | Dostupné množství | 3077 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | D2PAK (TO-263) |
| Série | QFET® | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) | Paket / krabice | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Balík | Bulk | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 200 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ FQB3P20TM Online.
| FQB3P20TM Sklad | FQB3P20TM Cena | FQB3P20TM Electronics | |||
| Součásti FQB3P20TM | FQB3P20TM Inventory | FQB3P20TM Digikey | |||
| Dodavatel FQB3P20TM | Objednat FQB3P20TM Online | Poptávka FQB3P20TM | |||
| Obrázek FQB3P20TM | Obrázek FQB3P20TM | FQB3P20TM PDF | |||
| Datový list FQB3P20TM | Stáhněte si datový list FQB3P20TM | Výrobce | |||
| Související díly pro FQB3P20TM | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
FQB3N80 | FQB3N80 VB | VB | ||
 |
FQB44N10TM MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
FQB3N90 MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
 |
FQB3P50TM | MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB3P20 MOS | FAIRCHILD TO-263-2 | FAIRCHILD | ||
|
FQB44N10TM | MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB3N80TM | MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB45N15V2TM | MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQB44N10TM | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQB44N10 MOS | FAIRCHILD TO263AB | FAIRCHILD | ||
|
FQB3N90 | FQB3N90 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQB3P50 | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
FQB3P20TM MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
FQB3P20 | FQB3P20 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQB3N90TM | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB3N80TM IC | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
FQB3P20TM | MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB45N03L | FAIRCHILD | |||
|
FQB3N60CTM | MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK | onsemi | ||
|
FQB44N10 | FQB44N10 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.