| SVD2955T4G | |
|---|---|
| Part Number | SVD2955T4G |
| Výrobce | onsemi |
| Popis | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Dostupné množství | 14500 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | 1.SVD2955T4G.pdf2.SVD2955T4G.pdf3.SVD2955T4G.pdf4.SVD2955T4G.pdf5.SVD2955T4G.pdf |
| SVD2955T4G Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace SVD2955T4G | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | SVD2955T4G | Kategorie | |
| Výrobce | onsemi | Popis | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Balení / pouzdro | DPAK | Dostupné množství | 14500 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | DPAK |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 55W (Tj) | Paket / krabice | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 60 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Číslo základního produktu | SVD2955 | ||
| Stažení | SVD2955T4G PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
SVD2955T4G
Úvod
P-kanálový MOSFET navržený pro aplikace výkonového spínání.
Značka a výrobce
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Vlastnosti
Typ P-kanálového FETu, technologie MOSFET, bezolovnatý a v souladu s normou RoHS.
Výkon produktu
Vysoká kapacita rozptýlení tepla 55W, rozsah provozních teplot od -55 °C do 175 °C, napětí mezi drain a source 60V, nepřetržitý odtokový proud 12A při 25 °C.
Technické specifikace
Maximální RDS(on) 180 mOhm při 6A, 10V, prahové napětí brány až 4V při 250μA, maximální náboj brány 30nC při 10V, vstupní kapacita 750pF při 25V, napětí pro maximální/minimální RDS(on) je 10V, maximální Vgs ±20V.
Rozměry, tvar a balení
Povrchová montáž DPAK (TO-252-3, DPak, SC-63), balení: páska a cívka (TR).
Kvalita a spolehlivost
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1, což indikuje vysokou spolehlivost s neomezenou životností na skladech za standardních podmínek prostředí.
Výhody produktu
Účinné schopnosti zpracování energie, optimalizováno pro nízké zdroje napětí řízení brány.
Konkurenceschopnost produktu
Konkurenční v aplikacích vyžadujících vysoký výkon v oblasti tepelné a elektrické efektivity.
Kompatibilita
Kompatibilní s běžnými procesy povrchové montáže.
Standardizační certifikace a soulad
Bez obsahu olova a v souladu s normou RoHS pro environmentální standardy.
Doba životnosti a udržitelnost
Navržen pro trvalý a dlouhotrvající provoz v náročných podmínkách.
Skutečné oblasti aplikace
Přepínače napájení, aplikace pro správu energie, spínání zátěže.
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ SVD2955T4G Online.
| SVD2955T4G Sklad | SVD2955T4G Cena | SVD2955T4G Electronics | |||
| Součásti SVD2955T4G | SVD2955T4G Inventory | SVD2955T4G Digikey | |||
| Dodavatel SVD2955T4G | Objednat SVD2955T4G Online | Poptávka SVD2955T4G | |||
| Obrázek SVD2955T4G | Obrázek SVD2955T4G | SVD2955T4G PDF | |||
| Datový list SVD2955T4G | Stáhněte si datový list SVD2955T4G | Výrobce | |||
| Související díly pro SVD2955T4G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
SVD2N60D IC | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD3205T | VB TO-220AB | VB | ||
|
SVD12N60F MOS | VBSEMI TO-220F | VBSEMI | ||
|
SVD2N60DTR IC | SL TO252 | SL | ||
|
SVD1N60M MOS | SILAN TO-251 | SILAN | ||
|
SVD1N60M | SVD1N60M SILAN | SILAN | ||
|
SVD1N60D IC | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD12N60F | VBsemi TO220F | VBsemi | ||
|
SVD1N60DFBTR | TO252 11+PBF | |||
|
SVD1404T | SVD1404T Silan | Silan | ||
|
SVD2N60D | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD12N65F | SL TO220 | SL | ||
|
SVD2N60M | SILAN TO-251 | SILAN | ||
|
SVD2N60 | TO251 11+ | |||
|
SVD2N60DTR | TO-252 16+ | |||
|
SVD1N60D | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD2N60F | SILAN TO-220 | SILAN | ||
 |
SVD14N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK | onsemi | ||
 |
SVD2N60MJ | FUJITSU TO-251 | FUJITSU | ||
|
SVD301-TF | SANYO SMD | SANYO | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.