| RFD14N05LSM | |
|---|---|
| Part Number | RFD14N05LSM |
| Výrobce | onsemi |
| Popis | MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA |
| Dostupné množství | 26629 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | 1.RFD14N05LSM.pdf2.RFD14N05LSM.pdf3.RFD14N05LSM.pdf4.RFD14N05LSM.pdf5.RFD14N05LSM.pdf6.RFD14N05LSM.pdf7.RFD14N05LSM.pdf8.RFD14N05LSM.pdf |
| RFD14N05LSM Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace RFD14N05LSM | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | RFD14N05LSM | Kategorie | |
| Výrobce | onsemi | Popis | MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA |
| Balení / pouzdro | TO-252AA | Dostupné množství | 26629 pcs |
| Vgs (th) (max) 'Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±10V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | Dodavatel zařízení Package | TO-252AA |
| Série | - | RDS On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 14A, 5V |
| Ztráta energie (Max) | 48W (Tc) | Paket / krabice | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Balík | Tube | Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount | Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - | Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 50 V | Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
| Číslo základního produktu | RFD14N05 | ||
| Stažení | RFD14N05LSM PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
RFD14N05LSM
Úvod
N-kanálový MOSFET pro aplikace s povrchovou montáží
Značka a výrobce
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Vlastnosti
N-kanálový MOSFET, bez olova / v souladu s normou RoHS, technologie polovodičů s kovovým oxidovým dielektrikem, vysoká kapacita proudu, nízký odpor v zapnutém stavu, široký rozsah pracovních teplot
Výkon produktu
Kontinuální drain proud 14A při 25°C, pracovní teplota od -55°C do 175°C, ztrátové výkon až 48W při Tc, nízký gate charge a vstupní kapacita
Technické specifikace
Napětí mezi drenáží a zdrojem (Vdss) 50V, maximální Rds On 100 mΩ při 14A, 5V, maximální propustná napětí (Vgs(th)) 2V při 250µA, maximální gate charge (Qg) 40nC při 10V, maximální vstupní kapacita (Ciss) 670pF při 25V, maximální napětí pro ovládání maximální Rds On, minimální Rds On 5V, maximální napětí mezi gate a zdrojem (Vgs) ±10V
Rozměry, tvar a balení
Povrchová montáž, TO-252-3, DPak (2 vodiče + tab), SC-63 pouzdro, balení v trubkách, dodavatelské pouzdro TO-252AA
Kvalita a spolehlivost
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (neomezená), robustní konstrukce pro dlouhou životnost
Výhody produktu
Vysoká účinnost s nízkými ztrátami energie, vhodné pro aplikace s vysokou teplotou, snadné začlenění do různých obvodů
Konkurenceschopnost produktu
Nákladově efektivní, optimalizované pro aplikace řízení výkonu, spolehlivost prokázaná v průmyslu
Kompatibilita
Kompatibilní s technologiemi povrchové montáže
Standardizační certifikace a soulad
Shoda s normou RoHS
Doba životnosti a udržitelnost
Složky s vysokou odolností, odolné vůči tepelným a elektrickým stresům
Skutečné oblasti aplikace
Napájecí zdroje, DC-DC měniče, obvody pro řízení motorů, spínané napájecí zdroje
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ RFD14N05LSM Online.
| RFD14N05LSM Sklad | RFD14N05LSM Cena | RFD14N05LSM Electronics | |||
| Součásti RFD14N05LSM | RFD14N05LSM Inventory | RFD14N05LSM Digikey | |||
| Dodavatel RFD14N05LSM | Objednat RFD14N05LSM Online | Poptávka RFD14N05LSM | |||
| Obrázek RFD14N05LSM | Obrázek RFD14N05LSM | RFD14N05LSM PDF | |||
| Datový list RFD14N05LSM | Stáhněte si datový list RFD14N05LSM | Výrobce | |||
| Související díly pro RFD14N05LSM | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
RFD14LN05SM | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
RFD14N05SL | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
RFD12N06RLESM9A MOS | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
 |
RFD14N05LSM9A | MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA | Harris Corporation | ||
|
RFD14N05LSMON | FAIRCHILD New | FAIRCHILD | ||
|
RFD14N05LSM MOS | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
 |
RFD14N05LSM9A | MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA | onsemi | ||
|
RFD14N05 | MOSFET N-CH 50V 14A IPAK | Fairchild Semiconductor | ||
|
RFD14N05LM | RFD14N05LM FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
 |
RFD14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | onsemi | ||
|
RFD14N05L MOS | FAIRCHILD TO-251 | FAIRCHILD | ||
|
RFD14N05LSM9A MOS | VBSEMI TO-252AA | VBSEMI | ||
|
RFD14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A IPAK | Harris Corporation | ||
|
RFD140N05L | RFD140N05L FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
RFD14N05 | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | onsemi | ||
|
RFD14N05L_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
RFD14N05S2515 | 14A, 50V, 0.1OHM, N-CHANNEL, | Harris Corporation | ||
|
RFD14N05L 14N05L | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
|
RFD14N05LSM ON | FAIRCHILD 2014+RoHS | FAIRCHILD | ||
|
RFD14N05SM | MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA | Fairchild Semiconductor | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.