| HGTP5N120BND | |
|---|---|
| Part Number | HGTP5N120BND |
| Výrobce | onsemi |
| Popis | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Dostupné množství | 2877 pcs new original in stock. Žádost o akci a nabídku |
| ECAD model | |
| Datasheety | 1.HGTP5N120BND.pdf2.HGTP5N120BND.pdf3.HGTP5N120BND.pdf4.HGTP5N120BND.pdf5.HGTP5N120BND.pdf6.HGTP5N120BND.pdf7.HGTP5N120BND.pdf8.HGTP5N120BND.pdf9.HGTP5N120BND.pdf |
| HGTP5N120BND Price |
Požadavek na cenu a dobu trvání online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technické informace HGTP5N120BND | |||
|---|---|---|---|
| Číslo součásti výrobce | HGTP5N120BND | Kategorie | |
| Výrobce | onsemi | Popis | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Balení / pouzdro | TO-220-3 | Dostupné množství | 2877 pcs |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 1200 V | VCE (o) (Max) @ VGE, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Zkušební podmínky | 960V, 5A, 25Ohm, 15V | Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C | 22ns/160ns |
| přepínání energie | 450µJ (on), 390µJ (off) | Dodavatel zařízení Package | TO-220-3 |
| Série | - | Reverse Time Recovery (TRR) | 65 ns |
| Power - Max | 167 W | Paket / krabice | TO-220-3 |
| Balík | Tube | Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole | Typ vstupu | Standard |
| Typ IGBT | NPT | Gate Charge | 53 nC |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM) | 40 A | Proud - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Číslo základního produktu | HGTP5N120 | ||
| Stažení | HGTP5N120BND PDF - EN.pdf | ||
Model produktu
HGTP5N120BND
Úvod
IGBT NPT 1200V 21A 167W s propustným otvorem
Značka a výrobce
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Vlastnosti
NPT IGBT technologie, vysokorychlostní spínání, nízké saturacní napětí
Výkon produktu
Napětí zkolabování kolektor-emitor: 1200V, maximální kolektorový proud: 21A, rozptyl výkonu: 167W, doba zpětného obnovení: 65ns
Technické specifikace
Nabíjecí napětí: 53nC, Vce(on) (max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, pulzní kolektorový proud (Icm): 40A, energetická náročnost spínání: 450J (zapnuto), 390J (vypnuto)
Rozměry, tvar a balení
Balení / pouzdro: TO-220-3, balení: trubka, typ montáže: s propustným otvorem
Kvalita a spolehlivost
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): 1 (neomezená)
Výhody produktu
Vhodné pro aplikace s vysokým výkonem, efektivní tepelný výkon
Konkurenceschopnost produktu
Konkurenční napětí zkolabování a hodnocení proudu
Kompatibilita
Montáž s propustným otvorem kompatibilní se standardními PCB
Standardizační certifikace a soulad
Bezolovnatý stav / RoHS stav: bezolovnatý / v souladu s RoHS
Doba životnosti a udržitelnost
Odolná konstrukce pro trvalý výkon
Skutečné oblasti aplikace
Ovládání motorů, napájecí zdroje, systémy obnovitelných energií
Napište nám: Info@Ariat-Tech.com nebo RFQ HGTP5N120BND Online.
| HGTP5N120BND Sklad | HGTP5N120BND Cena | HGTP5N120BND Electronics | |||
| Součásti HGTP5N120BND | HGTP5N120BND Inventory | HGTP5N120BND Digikey | |||
| Dodavatel HGTP5N120BND | Objednat HGTP5N120BND Online | Poptávka HGTP5N120BND | |||
| Obrázek HGTP5N120BND | Obrázek HGTP5N120BND | HGTP5N120BND PDF | |||
| Datový list HGTP5N120BND | Stáhněte si datový list HGTP5N120BND | Výrobce | |||
| Související díly pro HGTP5N120BND | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| obraz | Part Number | Popis | Výrobce | Získejte nabídku | |
 |
HGTP7N60A4 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Fairchild Semiconductor | ||
 |
HGTP3N60A4G3N60A4 | FSC TO220 14+ | FSC | ||
|
HGTP3N60A4D | N-CHANNEL IGBT | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTP7N60A4 7N60A4 | FSC TO-220 | FSC | ||
 |
HGTP7N60A4 | IGBT 600V 34A TO220-3 | onsemi | ||
|
HGTP7N60A4D | IGBT 600V 34A 125W TO220AB | onsemi | ||
|
HGTP6N40EID | 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP3N60A4D | IGBT 600V 17A 70W TO220AB | onsemi | ||
|
HGTP3N60A4 | N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP3N60B3R4724 | 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP7N60A4 G7N60A4 | HGTP7N60A4 G7N60A4 FSC | FSC | ||
|
HGTP6N50E1D | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
HGTP3N60C3 | 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP3N60A4,G3N60A4 | FSC TO220 | FSC | ||
 |
HGTP7N60A4-F102 | IGBT 600V 34A TO220-3 | onsemi | ||
 |
HGTP5N120BN | HGTP5N120BN Intersil | Intersil | ||
|
HGTP3N60C3D | HGTP3N60C3D FSC | FSC | ||
|
HGTP3N60B3 | 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTP5N120CN | IGBT, 25A, 1200V, N-CHANNEL | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTP6N40E1D | 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
Zprávy
Více
Polarfire® Soc FPGA společnosti Microchip získala certifikaci AEC -Q100, což potvrzuje svou spolehlivost za drsných podmínek automobilového pr...
PSOCTM 4000T je prvním produktem společnosti Infineon, který obsahuje technologii Páté generace společnosti CAPSENSE ™ a funkčnost společnost...
Výkonný dodavatel automatických dílů odhalil, že vývoj EV na severoamerickém trhu se zastavil, protože automobilky se rozhodly prodloužit ž...
Infineon a Eatron rozšiřují spolupráci System AI Battery Management System (BMS) do průmyslové a spotřební elektroniky.Na základě mikrokontr...
Na Semiconductor nedávno oznámil spuštění Sensoru Hyperlux ID, který může provádět vysoce přesné měření na dlouhou vzdálenost a trojro...
Nové produkty
Více
Fotoelektrický snímač řady PD30 Miniaturní fotoelektrické snímače Carlo Gavazzi jsou vysoce ...
Sada hodnocení XC112 / XR112 pro pulsní koherentní radar A111Acconeer XC112 a XR112 vyhodnocovací souprava s plochými ohebnými kabely a podporou...
MINAS Servo pohony řady A6 a motory Rodina řady MINAS A6 společnosti Panasonic zajišťuje stabil...
Deska řidiče UV LED RayVio je LED LED deska řady XE a XP1 řady UV-C emitorů Ultrafialová (UV...
Průmyslový a rozšířený test DDR SDRAM Zařízení DDR SDRAM společnosti Insignis zaručují p...
E-mailem: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PŘIDAT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Oznámení o autorských právech © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Všechna práva vyhrazena.